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產(chǎn)品分類
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產(chǎn)品型號：KHW030-001C2
更新時間：2025-04-22簡要描述：日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距0.3 mm至 1.0mm除了常規(guī)的鍍金柱塞外，我們還針對每種主要長度提供各種高度通用。以“MARATHON"系列為中心，這是一款標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品，采用北制作所開發(fā)的電鍍和涂層來防止焊料轉(zhuǎn)移，以及達(dá)到相同效果的貴金屬。
深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距0.3mm 至 1.0mm 產(chǎn)品特點如下：
日本KITA半導(dǎo)體器件彈簧探針標(biāo)準(zhǔn)間距又稱雙頭探針或接觸探針，內(nèi)置彈簧，用于半導(dǎo)體器件制造的檢測工序。
彈簧探針內(nèi)置于 IC 插座中，作為將被測設(shè)備垂直連接到電路板的電路。
北制作所實現(xiàn)了低阻力、高耐久性。其中，“MARATHON"系列是半導(dǎo)體器件檢測用彈簧探針的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品陣容。
1. 彈簧探針間距概述
彈簧探針的間距（Pitch）指相鄰探針中心間的距離，直接影響測試的密度和兼容性。KITA提供的 0.3mm~1.0mm 標(biāo)準(zhǔn)間距覆蓋了從高密度晶圓測試到傳統(tǒng)封裝測試的需求：
0.3mm~0.5mm：超細(xì)間距，用于先進(jìn)封裝（如Fan-out、3D IC）和高頻芯片測試。
0.5mm~0.8mm：主流間距，適用于大多數(shù)BGA、CSP封裝測試。
0.8mm~1.0mm：通用間距，用于PCB功能測試或大功率器件。
| 參數(shù) | 0.3mm間距 | 0.5mm間距 | 1.0mm間距 |
|---|---|---|---|
| 探針直徑 | 0.1~0.15mm | 0.2~0.3mm | 0.4~0.6mm |
| 電流承載能力 | 0.1~0.5A（低電流信號） | 0.5~1A（中等電流） | 1~3A（功率測試） |
| 典型應(yīng)用 | 晶圓CP測試、射頻芯片 | BGA/CSP測試、存儲芯片 | PCB板級測試、電源管理IC |
| 挑戰(zhàn) | 易短路、對齊精度要求高 | 平衡密度與可靠性 | 占用空間大，密度低 |
0.3mm間距：采用 錯位排列 或 雙排交錯 設(shè)計，避免相鄰探針接觸短路。
絕緣涂層：部分型號探針外壁鍍陶瓷或聚酰亞胺絕緣層，減少串?dāng)_。
彈簧材料：鈹銅合金（高彈性）或鋼琴絲（長壽命）。
鍍層工藝：金鍍層（低接觸電阻，適合高頻）或鈀鎳合金（耐磨損）。
機(jī)械可靠性
壓縮行程：0.1~0.5mm（0.3mm間距探針行程較短，需精確控制下壓力）。
壽命：10萬次以上壓縮（符合JEDEC JESD22-A104標(biāo)準(zhǔn)）。
4. 典型應(yīng)用場景
0.3mm間距
晶圓級測試（Wafer CP）：5G毫米波芯片、CIS圖像傳感器。
微間距連接器：柔性電路板（FPC）測試。
0.5mm間距
封裝測試（FT）：DRAM、NAND Flash芯片。
系統(tǒng)級測試（SLT）：手機(jī)SoC模塊。
1.0mm間距
電源模塊測試：DC-DC轉(zhuǎn)換器、IGBT。
汽車電子：ECU板級功能驗證。
5. 選型關(guān)鍵因素
電氣需求：
高頻信號（>1GHz）需選0.3mm低電感探針。
大電流測試（>1A）優(yōu)先選1.0mm間距探針。
機(jī)械兼容性：
被測器件Pad尺寸需大于探針直徑的1.5倍（如0.3mm探針對應(yīng)Pad≥0.15mm）。
共面性公差（通常要求≤0.05mm）。
環(huán)境要求：
高溫測試（>85°C）需不銹鋼外殼或耐熱鍍層。
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